Infineon Technologies AUIRFN7110TR
- 제조업체 부품 번호
- AUIRFN7110TR
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET NCH 100V 58A PQFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
AUIRFN7110TR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,301.00250
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of AUIRFN7110TR, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. AUIRFN7110TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFN7110TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- AUIRFN7110TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
AUIRFN7110TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFN7110TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | AUIRFN7110 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3050pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 4.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001517416 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFN7110TR | |
| 관련 링크 | AUIRFN, AUIRFN7110TR Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
AUIRFN7110TR 의 관련 제품
 | C1005JB1C333K050BA | 0.033µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1C333K050BA.pdf | |
 | VJ0402D4R7CLBAJ | 4.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D4R7CLBAJ.pdf | |
| B32560J6472J289 | 4700pF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP 0.354" L x 0.098" W (9.00mm x 2.50mm) | B32560J6472J289.pdf | |
 | ECQ-E4184KFB | 0.18µF Film Capacitor 400V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.213" W (18.50mm x 5.40mm) | ECQ-E4184KFB.pdf | |
 | M550B128M040BA | 1200µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 40V M55 Module 20 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M550B128M040BA.pdf | |
 | MA-506 20.0000M-C0:ROHS | 20MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 20.0000M-C0:ROHS.pdf | |
 | ASTMLPV-66.666MHZ-EJ-E-T | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 7.5mA Enable/Disable | ASTMLPV-66.666MHZ-EJ-E-T.pdf | |
 | 1N5260B (DO-35) | DIODE ZENER 43V 500MW DO35 | 1N5260B (DO-35).pdf | |
| 1330-40J | 6.8µH Unshielded Inductor 185mA 2 Ohm Max 2-SMD | 1330-40J.pdf | |
 | ERA-2ARC8661X | RES SMD 8.66K OHM 1/16W 0402 | ERA-2ARC8661X.pdf | |
.jpg) | RT2010FKE0734KL | RES SMD 34K OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0734KL.pdf | |
 | CRCW12063R16FKEAHP | RES SMD 3.16 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW12063R16FKEAHP.pdf |
