Infineon Technologies AUIRFR5505TRL

AUIRFR5505TRL
제조업체 부품 번호
AUIRFR5505TRL
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
AUIRFR5505TRL 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 761.08033
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of AUIRFR5505TRL, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. AUIRFR5505TRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFR5505TRL, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
AUIRFR5505TRL 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
AUIRFR5505TRL 매개 변수
내부 부품 번호EIS-AUIRFR5505TRL
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서AUIRF(R,U)5505
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 설계/사양Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Des Rev 22/Oct/2014
PCN 조립/원산지D-Pak Leadframe BOM Update 26/Sep/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs110m옴 @ 9.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs32nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds650pF @ 25V
전력 - 최대57W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 3,000
다른 이름SP001519572
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)AUIRFR5505TRL
관련 링크AUIRFR, AUIRFR5505TRL Datasheet, Infineon Technologies Distributor
AUIRFR5505TRL 의 관련 제품
220µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C LGJ2D221MELA.pdf
100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) 12065A101MAT2A.pdf
1.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) VJ0402D1R9CXXAP.pdf
FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL MRF 1-BULK.pdf
GDT 150V 20% 5KA SURFACE MOUNT 2015-15-SMC-RPLF.pdf
TVS DIODE 7.5VWM POWERDI123 DFLT7V5A-7.pdf
27.12MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F27111AAR.pdf
DIODE ZENER 1.25W DO214AC BZG05C43TR.pdf
82mH Unshielded Wirewound Inductor 20mA 212 Ohm Max Radial RL622-823K-RC.pdf
2.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 60 mOhm Max 0805 (2012 Metric) PE-0805CD2N8JTT.pdf
RES SMD 124K OHM 1% 1W 2010 CRGH2010F124K.pdf
RES SMD 2.1KOHM 0.05% 1/10W 0603 RG1608N-2101-W-T1.pdf