Infineon Technologies AUIRL7736M2TR
- 제조업체 부품 번호
- AUIRL7736M2TR
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
AUIRL7736M2TR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,337.94458
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of AUIRL7736M2TR, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. AUIRL7736M2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRL7736M2TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- AUIRL7736M2TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
AUIRL7736M2TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRL7736M2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | AUIRL7736M2TR(1) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 13/Feb/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 179A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 67A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5055pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 M4 | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ M4 | |
| 표준 포장 | 4,800 | |
| 다른 이름 | SP001521898 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRL7736M2TR | |
| 관련 링크 | AUIRL7, AUIRL7736M2TR Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
AUIRL7736M2TR 의 관련 제품
 | 25WA470MEFC10X9 | 470µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 25WA470MEFC10X9.pdf | |
-14.jpg) | C2012Y5V1A475Z/10 | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012Y5V1A475Z/10.pdf | |
 | DXJ-5R5H334U | 330mF Supercap 5.5V Axial, Can - Horizontal 150 Ohm 1000 Hrs @ 85°C 0.453" Dia (11.50mm) | DXJ-5R5H334U.pdf | |
 | BZG04-180TR | TVS DIODE 180VWM 305VC DO214AC | BZG04-180TR.pdf | |
 | P6KE350A-G | TVS DIODE 299.3VWM 482VC DO15 | P6KE350A-G.pdf | |
 | 402F27122IAT | 27.12MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27122IAT.pdf | |
 | SG-210STF 25.0000MY | 25MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.6 V ~ 3.6 V 2.2mA Standby (Power Down) | SG-210STF 25.0000MY.pdf | |
| SIT8008AI-23-28E-1.0000E | OSC XO 2.8V 1MHZ OE | SIT8008AI-23-28E-1.0000E.pdf | |
 | MMRF1021NT1 | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | MMRF1021NT1.pdf | |
 | Y1747V0491BA9R | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1747V0491BA9R.pdf | |
 | MHP-25ATA52-3K9 | RES 3.9K OHM 1/4W .05% AXIAL | MHP-25ATA52-3K9.pdf | |
 | E-TA2012 T 4DB N2 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N2.pdf |
