Infineon Technologies AUIRLS3036
- 제조업체 부품 번호
- AUIRLS3036
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
AUIRLS3036 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of AUIRLS3036, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. AUIRLS3036 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRLS3036, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- AUIRLS3036 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
AUIRLS3036 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRLS3036 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRLS(L)3036 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 165A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11210pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 380W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001521322 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRLS3036 | |
| 관련 링크 | AUIRL, AUIRLS3036 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
AUIRLS3036 의 관련 제품
-2.8.jpg) | CGA6P2X8R1E335M250AA | 3.3µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6P2X8R1E335M250AA.pdf | |
 | CBR02C508B9GAC | 0.50pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C508B9GAC.pdf | |
 | 1812GC202KAT1A | 2000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC202KAT1A.pdf | |
 | T322C156K010AS | 15µF Molded Tantalum Capacitors 10V Axial 3.7 Ohm 0.180" Dia x 0.345" L (4.57mm x 8.76mm) | T322C156K010AS.pdf | |
 | KLDR07.5T | FUSE CRTRDGE 7.5A 600VAC/300VDC | KLDR07.5T.pdf | |
 | ATV15C400JB-HF | TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMC | ATV15C400JB-HF.pdf | |
 | PESD3USB3SZ | TVS DIODE 5.5VWM 15WLCSP | PESD3USB3SZ.pdf | |
 | TS192F11CDT | 19.2MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS192F11CDT.pdf | |
 | SIT3808AC-2-28EX | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Enable/Disable | SIT3808AC-2-28EX.pdf | |
 | CDRR75NP-6R8MC | 6.8µH Shielded Inductor 2.55A 43 mOhm Max Nonstandard | CDRR75NP-6R8MC.pdf | |
 | 4590R-186K | 18mH Unshielded Wirewound Inductor 210mA 14.8 Ohm Max Axial | 4590R-186K.pdf | |
 | CW010360R0JE12 | RES 360 OHM 13W 5% AXIAL | CW010360R0JE12.pdf |
