Cornell Dubilier Electronics (CDE) AVS226M50E16T-F
- 제조업체 부품 번호
- AVS226M50E16T-F
- 제조업 자
- Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 제품 카테고리
- 알루미늄 커패시터
- 간단한 설명
- 22µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 9.1 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
AVS226M50E16T-F 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 237.22000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of AVS226M50E16T-F, we specialize in all series Cornell Dubilier Electronics (CDE) electronic components. AVS226M50E16T-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AVS226M50E16T-F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- AVS226M50E16T-F 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
AVS226M50E16T-F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-AVS226M50E16T-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | AVS Type | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
| 계열 | AVS | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 50V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 9.1옴 @ 120Hz | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 120mA @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 0.315" Dia(8.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.244"(6.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | 0.327" L x 0.327" W(8.30mm x 8.30mm) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | AVS226M50E16T-F | |
| 관련 링크 | AVS226M, AVS226M50E16T-F Datasheet, Cornell Dubilier Electronics (CDE) Distributor | |
AVS226M50E16T-F 의 관련 제품
 | RDER72E683K2M1H03A | 0.068µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.124" W(5.50mm x 3.15mm) | RDER72E683K2M1H03A.pdf | |
 | 445W32G24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32G24M57600.pdf | |
 | 416F2701XAKR | 27MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2701XAKR.pdf | |
 | P0751.472NLT | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 4.8A 33 mOhm Max Nonstandard | P0751.472NLT.pdf | |
 | CTX100-1-52LP-R | 100µH Unshielded Toroidal Inductor 2.5A 106 mOhm Max Radial | CTX100-1-52LP-R.pdf | |
 | HS300 1R J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 300W | HS300 1R J.pdf | |
 | RCP2512B82R0GS3 | RES SMD 82 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B82R0GS3.pdf | |
 | Y16291K81800B9W | RES SMD 1.818K OHM 1/10W 0805 | Y16291K81800B9W.pdf | |
.jpg) | CRCW06031R18FNEA | RES SMD 1.18 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031R18FNEA.pdf | |
 | 40J56RE | RES 56 OHM 10W 5% AXIAL | 40J56RE.pdf | |
 | ATT-0263-12-SMA-02 | RF Attenuator 12dB ±0.5dB 0Hz ~ 18GHz 2W SMA In-Line Module | ATT-0263-12-SMA-02.pdf | |
| OPB980N51Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS | OPB980N51Z.pdf |
