창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AZ23C3V9-G3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AZ23-G Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AZ23C3V9-G3-18 | |
관련 링크 | AZ23C3V, AZ23C3V9-G3-18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | IPD50N06S2L13ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | IPD50N06S2L13ATMA2.pdf | |
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NS12555T681MN | 680µH Shielded Wirewound Inductor 720mA 912 mOhm Max Nonstandard | NS12555T681MN.pdf | ||
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![]() | ERA-8AEB563V | RES SMD 56K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB563V.pdf | |
![]() | RCS040224R9FKED | RES SMD 24.9 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040224R9FKED.pdf | |
![]() | MNR04MRAPJ104 | RES ARRAY 4 RES 100K OHM 0804 | MNR04MRAPJ104.pdf | |
![]() | TRA806/17103P | 883MHz, 2.1GHz GSM, UMTS Dome RF Antenna 806MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 2.5GHz 3dB Connector, N Female Panel Mount | TRA806/17103P.pdf |