창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B32796E3306K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B32794-B32798 Film Capacitors | |
제품 교육 모듈 | Automotive Industry Capacitors | |
주요제품 | B3279X Series Capacitors Film Capacitors | |
PCN 설계/사양 | B32(5679)B333 Series 02/May/2014 | |
PCN 포장 | MKT, MKP Type Laser Marking 26/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 2057 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B32796 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 30µF | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전압 - AC | 300V | |
정격 전압 - DC | 700V | |
유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
등가 직렬 저항(ESR) | 2.2m옴 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 1.654" L x 1.181" W(42.00mm x 30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.772"(45.00mm) | |
종단 | PC 핀 | |
리드 간격 | 1.476"(37.50mm) | |
응용 제품 | DC 링크, DC 필터링, EMI, FRI 억제 | |
특징 | - | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 495-4152 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B32796E3306K | |
관련 링크 | B32796, B32796E3306K Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
C0805C911K5GACTU | 910pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C911K5GACTU.pdf | ||
VJ0603D620JXBAR | 62pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D620JXBAR.pdf | ||
LDEPE2330KA5N00 | 0.033µF Film Capacitor 200V 630V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2824 (7260 Metric) 0.287" L x 0.240" W (7.30mm x 6.10mm) | LDEPE2330KA5N00.pdf | ||
F339X152233KKM2T0 | 2.2µF Film Capacitor 330V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial | F339X152233KKM2T0.pdf | ||
B32669B6405K | 4µF Film Capacitor 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.827" Dia x 1.850" L (21.00mm x 47.00mm) | B32669B6405K.pdf | ||
JLLS1000X | FUSE CARTRIDGE 1KA 600VAC/300VDC | JLLS1000X.pdf | ||
TA-38.400MCD-T | 38.4MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TA-38.400MCD-T.pdf | ||
IPB80N06S2L11ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | IPB80N06S2L11ATMA2.pdf | ||
ISC1210SYR56K | 560nH Shielded Wirewound Inductor 455mA 460 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210SYR56K.pdf | ||
ERA-2APB5761X | RES SMD 5.76KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2APB5761X.pdf | ||
KTR10EZPJ115 | RES SMD 1.1M OHM 5% 1/8W 0805 | KTR10EZPJ115.pdf | ||
PHP00603E1602BST1 | RES SMD 16K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1602BST1.pdf |