창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B32911A3333M289 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B32911-16 Series | |
주요제품 | Film Capacitors | |
PCN 설계/사양 | B32(5679)B333 Series 02/May/2014 | |
PCN 포장 | MKT, MKP Type Laser Marking 26/Apr/2013 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B32911 | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 0.033µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 - AC | 330V | |
정격 전압 - DC | 760V | |
유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 110°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.512" L x 0.236" W(13.00mm x 6.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.472"(12.00mm) | |
종단 | PC 핀 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
응용 제품 | EMI, RFI 억제 | |
특징 | X1 안전 등급 | |
표준 포장 | 2,720 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B32911A3333M289 | |
관련 링크 | B32911A, B32911A3333M289 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | B43521A477M | 470µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - 5 Lead 320 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | B43521A477M.pdf | |
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![]() | 445W35C12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35C12M00000.pdf | |
![]() | SCMS5D25-150 | 15µH Shielded Inductor 1.44A 130 mOhm Max Nonstandard | SCMS5D25-150.pdf | |
![]() | 2020R-18G | 560nH Unshielded Toroidal Inductor 1A 220 mOhm Max Radial | 2020R-18G.pdf | |
![]() | ERJ-14NF1540U | RES SMD 154 OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF1540U.pdf | |
![]() | RT0402DRD073K9L | RES SMD 3.9K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD073K9L.pdf | |
![]() | RG1005V-3480-W-T5 | RES SMD 348 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-3480-W-T5.pdf | |
![]() | CRCW1206160KJNTA | RES SMD 160K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206160KJNTA.pdf | |
![]() | CMF551K0200FKR6 | RES 1.02K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K0200FKR6.pdf | |
![]() | CMF55221R00FKEK | RES 221 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55221R00FKEK.pdf | |
![]() | ATSAMR21E16A-MUT | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 32-VFQFN Exposed Pad | ATSAMR21E16A-MUT.pdf |