창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41252B6478M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B41252 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41252 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 4700µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 50V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.93A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.000" Dia(25.40mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 260 | |
다른 이름 | B41252B6478M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B41252B6478M | |
관련 링크 | B41252, B41252B6478M Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | VJ0805D431KXAAT | 430pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D431KXAAT.pdf | |
![]() | VJ0402D390FLAAC | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D390FLAAC.pdf | |
![]() | 416F44023ILR | 44MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44023ILR.pdf | |
![]() | FXO-PC520-1000 | 1GHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 72mA Enable/Disable | FXO-PC520-1000.pdf | |
![]() | 3090R-151H | 150nH Unshielded Inductor 795mA 120 mOhm Max 2-SMD | 3090R-151H.pdf | |
![]() | RC0805JR-07240RL | RES SMD 240 OHM 5% 1/8W 0805 | RC0805JR-07240RL.pdf | |
![]() | KTR18EZPF2490 | RES SMD 249 OHM 1% 1/4W 1206 | KTR18EZPF2490.pdf | |
![]() | MCR10EZHF5601 | RES SMD 5.6K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF5601.pdf | |
![]() | AF0402FR-076K2L | RES SMD 6.2K OHM 1% 1/16W 0402 | AF0402FR-076K2L.pdf | |
![]() | RG3216N-2802-W-T1 | RES SMD 28K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-2802-W-T1.pdf | |
![]() | RT1729B6TR13 | RES NTWRK 24 RES MULT OHM 32LBGA | RT1729B6TR13.pdf | |
![]() | MF1PLUS8001DUD/03, | IC SMART CARD 4KB EEPROM FFC | MF1PLUS8001DUD/03,.pdf |