EPCOS (TDK) B41858D6827M9
- 제조업체 부품 번호
- B41858D6827M9
- 제조업 자
- EPCOS (TDK)
- 제품 카테고리
- 알루미늄 커패시터
- 간단한 설명
- 820µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 50 mOhm @ 10kHz 5000 Hrs @ 105°C
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
B41858D6827M9 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 962.07528
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of B41858D6827M9, we specialize in all series EPCOS (TDK) electronic components. B41858D6827M9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B41858D6827M9, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- B41858D6827M9 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
B41858D6827M9 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-B41858D6827M9 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | B41858 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41858 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 정전 용량 | 820µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 50V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 50m옴 @ 10kHz | |
| 수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 자동차 | |
| 리플 전류 | 1.82A @ 100kHz | |
| 임피던스 | 46m옴 | |
| 리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
| 크기/치수 | 0.630" Dia(16.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.866"(22.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 900 | |
| 다른 이름 | B41858D6827M009 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | B41858D6827M9 | |
| 관련 링크 | B41858, B41858D6827M9 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor | |
B41858D6827M9 의 관련 제품
-21.jpg) | C1808C241JZGACTU | 240pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | C1808C241JZGACTU.pdf | |
| C907U510JYSDAAWL45 | 51pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U510JYSDAAWL45.pdf | |
 | 2027-30-BT1 | GDT 300V 15% 10KA THROUGH HOLE | 2027-30-BT1.pdf | |
| BZT03C10-TR | TVS DIODE 8.2VWM 14.8VC SOD57 | BZT03C10-TR.pdf | |
 | 416F27135CDR | 27.12MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27135CDR.pdf | |
 | APT30D60BHBG | DIODE ARRAY GP 600V 27A TO247 | APT30D60BHBG.pdf | |
 | AIMC-0402HQ-15NJ-T | 15nH Unshielded Multilayer Inductor 430mA 220 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AIMC-0402HQ-15NJ-T.pdf | |
 | DD1217AS-H-330M=P3 | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 132 mOhm Max Nonstandard | DD1217AS-H-330M=P3.pdf | |
 | SRP1045-1R4M | 1.4µH Shielded Wirewound Inductor 13A 4.4 mOhm Max Nonstandard | SRP1045-1R4M.pdf | |
 | NLFV32T-3R3M-EFT | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 420mA 132 mOhm Max Nonstandard | NLFV32T-3R3M-EFT.pdf | |
 | RR0816Q-200-D | RES SMD 20 OHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816Q-200-D.pdf | |
 | AC03000002200JAC00 | RES 220 OHM 3W 5% AXIAL | AC03000002200JAC00.pdf |
