창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43231F2187M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B41231, B43231 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43231 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 180µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 250V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.01A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.000" Dia(25.40mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.866"(22.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 260 | |
다른 이름 | B43231F2187M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43231F2187M | |
관련 링크 | B43231, B43231F2187M Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
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![]() | SA102C271KAR | 270pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102C271KAR.pdf | |
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![]() | BFC238341563 | 0.056µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | BFC238341563.pdf | |
![]() | 594D226X0020B8T | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1611 (4028 Metric) 600 mOhm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 594D226X0020B8T.pdf | |
![]() | PF0581.823NLT | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 850mA 262 mOhm Max Nonstandard | PF0581.823NLT.pdf | |
![]() | AQW214EHAZ | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SMD (0.300", 7.62mm) | AQW214EHAZ.pdf | |
![]() | CRCW20101K21FKEFHP | RES SMD 1.21K OHM 1% 1W 2010 | CRCW20101K21FKEFHP.pdf | |
![]() | RG1608V-4420-D-T5 | RES SMD 442 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-4420-D-T5.pdf | |
Z35092231509J6BC04 | RES 15 OHM 6W 5% AXIAL | Z35092231509J6BC04.pdf | ||
600721 | RFID Tag Read/Write 64kb (User) Memory 860MHz ~ 960MHz ISO 18000-6, EPC Inlay | 600721.pdf | ||
![]() | P51-75-A-H-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Absolute Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-A-H-P-4.5OVP-000-000.pdf |