창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43305A2827M87 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43305 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43305 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 820µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 150m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.5A @ 100Hz | |
임피던스 | 210m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 0.866" Dia(22.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.850"(47.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 320 | |
다른 이름 | B43305A2827M 87 B43305A2827M087 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43305A2827M87 | |
관련 링크 | B43305A, B43305A2827M87 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | B43255A2397M | 390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | B43255A2397M.pdf | |
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![]() | 12101C683JAT4A | 0.068µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12101C683JAT4A.pdf | |
![]() | MCH155A101JK | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | MCH155A101JK.pdf | |
![]() | SMCJ1.5KE30A-TP | TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC SMC | SMCJ1.5KE30A-TP.pdf | |
![]() | SMA5J20CAHE3/61 | TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMA | SMA5J20CAHE3/61.pdf | |
![]() | XRCPB40M000F0L00R0 | 40MHz ±100ppm 수정 6pF 100옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCPB40M000F0L00R0.pdf | |
![]() | 445C3XG13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XG13M00000.pdf | |
![]() | SG-51P 16.2570MC:ROHS | 16.257MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 23mA Enable/Disable | SG-51P 16.2570MC:ROHS.pdf | |
![]() | MDP16033K30GE04 | RES ARRAY 8 RES 3.3K OHM 16DIP | MDP16033K30GE04.pdf | |
![]() | RNF18JTD220K | RES 220K OHM 1/8W 5% AXIAL | RNF18JTD220K.pdf | |
RSMF2FT825R | RES METAL OX 2W 825 OHM 1% AXL | RSMF2FT825R.pdf |