EPCOS (TDK) B43305B2108M2
- 제조업체 부품 번호
- B43305B2108M2
- 제조업 자
- EPCOS (TDK)
- 제품 카테고리
- 알루미늄 커패시터
- 간단한 설명
- 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 130 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
B43305B2108M2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 5,810.20000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of B43305B2108M2, we specialize in all series EPCOS (TDK) electronic components. B43305B2108M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B43305B2108M2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- B43305B2108M2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
B43305B2108M2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-B43305B2108M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | B43305 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43305 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 200V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 130m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 2.76A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 180m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.984" Dia(25.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
| 표준 포장 | 130 | |
| 다른 이름 | B43305B2108M2 B43305B2108M002 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | B43305B2108M2 | |
| 관련 링크 | B43305, B43305B2108M2 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor | |
B43305B2108M2 의 관련 제품
| 189LMH050MZEG | ELECTROLYTIC | 189LMH050MZEG.pdf | |
 | GRM1555C1H6R9BZ01D | 6.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H6R9BZ01D.pdf | |
 | ABM10-24.000MHZ-D30-T3 | 24MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10-24.000MHZ-D30-T3.pdf | |
 | 445C3XK14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XK14M31818.pdf | |
.jpg) | ABM81-16.000MHZ-10-B1U-T3 | 16MHz ±10ppm 수정 10pF 70옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM81-16.000MHZ-10-B1U-T3.pdf | |
 | MUN5211T1G | TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3 | MUN5211T1G.pdf | |
 | VLCF4018T-3R3N1R2-2 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.26A 79 mOhm Max Nonstandard | VLCF4018T-3R3N1R2-2.pdf | |
 | MCU08050D3092BP500 | RES SMD 30.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D3092BP500.pdf | |
 | CPF0603B21KE1 | RES SMD 21K OHM 0.1% 1/16W 0603 | CPF0603B21KE1.pdf | |
 | MGA-13516-TR2G | RF Amplifier IC CDMA, GSM, WCDMA 400MHz ~ 1.5GHz 16-QFN (4x4) | MGA-13516-TR2G.pdf | |
 | A1392SEHLT-T | IC SENSOR HALL EFFECT 6MLP | A1392SEHLT-T.pdf | |
| MS46SR-20-260-Q1-50X-50R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-20-260-Q1-50X-50R-NC-FN.pdf |
