창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43305B2128M82 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43305 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43305 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 110m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.79A @ 100Hz | |
임피던스 | 150m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
표준 포장 | 160 | |
다른 이름 | B43305B2128M 82 B43305B2128M082 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43305B2128M82 | |
관련 링크 | B43305B, B43305B2128M82 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | PCF0E152MCL1GS | 1500µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 13 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | PCF0E152MCL1GS.pdf | |
![]() | 12101C563KAT2A | 0.056µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12101C563KAT2A.pdf | |
![]() | HSMS-280P-TR1G | DIODE SCHOTT RF QUAD 70V SOT-363 | HSMS-280P-TR1G.pdf | |
![]() | 74404064152 | 1.5mH Shielded Wirewound Inductor 210mA 6.989 Ohm Nonstandard | 74404064152.pdf | |
![]() | G3PE-545B-3 DC12-24 | Solid State Relay 3PST (3 Form A) SSR with Integrated Heat Sink | G3PE-545B-3 DC12-24.pdf | |
![]() | URG3216L-682-L-T05 | RES SMD 6.8K OHM 0.01% 1/4W 1206 | URG3216L-682-L-T05.pdf | |
![]() | PCNM1206K8R20FST5 | RES SMD 8.2 OHM 1% 2W 1206 | PCNM1206K8R20FST5.pdf | |
![]() | TNPU120639K0AZEN00 | RES SMD 39K OHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120639K0AZEN00.pdf | |
![]() | CRCW020191R0JNED | RES SMD 91 OHM 5% 1/20W 0201 | CRCW020191R0JNED.pdf | |
![]() | TWW3J1R0E | RES 1 OHM 3W 5% RADIAL | TWW3J1R0E.pdf | |
![]() | H825R5BYA | RES 25.5 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H825R5BYA.pdf | |
![]() | CP00102R700KB143 | RES 2.7 OHM 10W 10% AXIAL | CP00102R700KB143.pdf |