창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43455D4228M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43455,57 Series Standard | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43455 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 2200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 350V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 48m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 7.1A @ 100Hz | |
임피던스 | 58m옴 | |
리드 간격 | 0.874"(22.20mm) | |
크기/치수 | 2.032" Dia(51.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 72 | |
다른 이름 | B43455D4228M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43455D4228M | |
관련 링크 | B43455, B43455D4228M Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | EKMH401VSN331MA35S | 330µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 753 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH401VSN331MA35S.pdf | |
![]() | K393M20X7RK53L2 | 0.039µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K393M20X7RK53L2.pdf | |
![]() | GL135F23IET | 13.5MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL135F23IET.pdf | |
![]() | 520T15IA16M3680 | 16.368MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 2.8V 2mA | 520T15IA16M3680.pdf | |
![]() | SJPB-D9VL | DIODE SCHOTTKY 90V 1A SJP | SJPB-D9VL.pdf | |
![]() | NL453232T-1R2J-PF | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | NL453232T-1R2J-PF.pdf | |
![]() | AT1206DRE07240KL | RES SMD 240K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE07240KL.pdf | |
![]() | Y16278K86000T0W | RES SMD 8.86KOHM 0.01% 1/2W 2010 | Y16278K86000T0W.pdf | |
![]() | CF12JT4K30 | RES 4.3K OHM 1/2W 5% CARBON FILM | CF12JT4K30.pdf | |
![]() | MHP-25PTA52-1K2 | RES 1.2K OHM 1/4W .02% AXIAL | MHP-25PTA52-1K2.pdf | |
![]() | CP0005820R0JB143 | RES 820 OHM 5W 5% AXIAL | CP0005820R0JB143.pdf | |
![]() | MHP-TAM6-9-85 | RESET FUSE SMD | MHP-TAM6-9-85.pdf |