창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43457B5478M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43455,57 Series Standard | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43457 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 4700µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 23m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 11.7A @ 100Hz | |
임피던스 | 28m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 5.677"(144.20mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 16 | |
다른 이름 | 495-6409 B43457B5478M-ND B43457B5478M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43457B5478M | |
관련 링크 | B43457, B43457B5478M Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
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![]() | GRM2166R1H111JZ01D | 110pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166R1H111JZ01D.pdf | |
![]() | TCA1A156M8R | 15µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 3.5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TCA1A156M8R.pdf | |
![]() | 416F24025AST | 24MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24025AST.pdf | |
![]() | ASTMUPCFL-33-5.000MHZ-LJ-E-T3 | 5MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCFL-33-5.000MHZ-LJ-E-T3.pdf | |
![]() | SIT8924BAB13-33E-25.00000E | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT8924BAB13-33E-25.00000E.pdf | |
![]() | SIT9121AC-1C2-33E25.000000T | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT9121AC-1C2-33E25.000000T.pdf | |
![]() | T5070670B4AQ | SCR INV STUD 70A 600V TO-94 | T5070670B4AQ.pdf | |
![]() | RT0603BRD0716R2L | RES SMD 16.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0716R2L.pdf | |
![]() | TNPW1210309RBEEN | RES SMD 309 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210309RBEEN.pdf | |
![]() | TNPW2512590RBEEG | RES SMD 590 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512590RBEEG.pdf |