창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43501F2108M60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43501 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43501 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 100m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.93A @ 100Hz | |
임피던스 | 130m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 80 | |
다른 이름 | B43501F2108M 60 B43501F2108M060 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43501F2108M60 | |
관련 링크 | B43501F, B43501F2108M60 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | GRM0335C2A7R2DA01J | 7.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A7R2DA01J.pdf | |
![]() | LMK042BJ102KC-W | 1000pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | LMK042BJ102KC-W.pdf | |
![]() | K270J10C0GF5UH5 | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K270J10C0GF5UH5.pdf | |
![]() | SR212A181GARTR1 | 180pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR212A181GARTR1.pdf | |
![]() | SMDJ12CA-HRAT7 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB | SMDJ12CA-HRAT7.pdf | |
![]() | BA979S-GS08 | DIODE RF PIN SOD80 | BA979S-GS08.pdf | |
LET9180 | IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 | LET9180.pdf | ||
![]() | RLB0712-102KL | 1mH Unshielded Wirewound Inductor Radial | RLB0712-102KL.pdf | |
![]() | 5022R-122J | 1.2µH Unshielded Inductor 930mA 420 mOhm Max 2-SMD | 5022R-122J.pdf | |
![]() | 1-2176073-5 | RES SMD 750 OHM 0.5% 1/32W 0201 | 1-2176073-5.pdf | |
![]() | AD8339-EVALZ | BOARD EVAL AD8339 I/Q DEMOD | AD8339-EVALZ.pdf | |
![]() | DC103G9G | NTC Thermistor 10k Bead | DC103G9G.pdf |