창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43510A827M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43510,20 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43510 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 820µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 420V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 150m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 4.36A @ 100Hz | |
임피던스 | 210m옴 | |
리드 간격 | 0.984"(25.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 2.835"(72.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
표준 포장 | 72 | |
다른 이름 | B43510A 827M B43510A0827M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43510A827M | |
관련 링크 | B4351, B43510A827M Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
1812CA472KAT1A | 4700pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CA472KAT1A.pdf | ||
416F52012ALT | 52MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012ALT.pdf | ||
HCT802TXV | MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD | HCT802TXV.pdf | ||
ERJ-3RQFR33V | RES SMD 0.33 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3RQFR33V.pdf | ||
ERA-2ARC6341X | RES SMD 6.34K OHM 1/16W 0402 | ERA-2ARC6341X.pdf | ||
TNPU0805825RAZEN00 | RES SMD 825 OHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU0805825RAZEN00.pdf | ||
Y112140R2000Q0R | RES SMD 40.2 OHM 1/4W J LEAD | Y112140R2000Q0R.pdf | ||
Y16244K99000T0W | RES SMD 4.99KOHM 0.01% 1/5W 0805 | Y16244K99000T0W.pdf | ||
CRCW08051M78FKEB | RES SMD 1.78M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051M78FKEB.pdf | ||
HMC263 | RF Amplifier IC General Purpose 24GHz ~ 36GHz Die | HMC263.pdf | ||
76575-B00000040-01 | SWITCH PRESSURE N.O. 4PSI | 76575-B00000040-01.pdf | ||
MAX6635MSA+ | SENSOR TEMP I2C/SMBUS 8SOIC | MAX6635MSA+.pdf |