창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43510B5827M7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43510,20 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43510 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 820µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 130m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 4.32A @ 100Hz | |
임피던스 | 200m옴 | |
리드 간격 | 0.984"(25.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 3.228"(82.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
표준 포장 | 66 | |
다른 이름 | B43510B5827M 7 B43510B5827M007 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43510B5827M7 | |
관련 링크 | B43510, B43510B5827M7 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | ECO-S2DB122DA | 1200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 193 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | ECO-S2DB122DA.pdf | |
![]() | QYS1H224KTP | 0.22µF Film Capacitor 50V Polyester Radial 0.413" L x 0.256" W (10.50mm x 6.50mm) | QYS1H224KTP.pdf | |
![]() | ECS-100A-051 | 5.0688MHz TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 15mA | ECS-100A-051.pdf | |
![]() | BFA5500001 | 155.52MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable | BFA5500001.pdf | |
![]() | FDMS7656AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 | FDMS7656AS.pdf | |
![]() | IXFR15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | IXFR15N100Q3.pdf | |
![]() | V23101D 2B201 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | V23101D 2B201.pdf | |
![]() | CRCW12104K70FKEAHP | RES SMD 4.7K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12104K70FKEAHP.pdf | |
![]() | ERX-1HZJR15H | RES SMD 0.15 OHM 5% 1W J BEND | ERX-1HZJR15H.pdf | |
![]() | TNPW1206432RBETA | RES SMD 432 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206432RBETA.pdf | |
![]() | CRCW080547K0JNTC | RES SMD 47K OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080547K0JNTC.pdf | |
![]() | Y1453370R000F9L | RES 370 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y1453370R000F9L.pdf |