창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43510C9108M87 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43510,20 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43510 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 400V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 65m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 4.48A @ 100Hz | |
임피던스 | 80m옴 | |
리드 간격 | 0.984"(25.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 2.843"(72.20mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
표준 포장 | 56 | |
다른 이름 | B43510C9108M087 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43510C9108M87 | |
관련 링크 | B43510C, B43510C9108M87 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
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![]() | FA28C0G1H3R3CNU06 | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA28C0G1H3R3CNU06.pdf | |
![]() | 251R15S510GV4E | 51pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S510GV4E.pdf | |
![]() | SQCB2M361JAJME | 360pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB2M361JAJME.pdf | |
![]() | SMBJ43D-M3/I | TVS DIODE 43VWM 68.5VC DO214AA | SMBJ43D-M3/I.pdf | |
![]() | SIT8008AC-73-33S-50.000000D | OSC XO 3.3V 50MHZ ST | SIT8008AC-73-33S-50.000000D.pdf | |
![]() | FXO-LC536-1100 | 1.1GHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FXO-LC536-1100.pdf | |
![]() | ASTMUPCV-33-66.666MHZ-LY-E-T3 | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-66.666MHZ-LY-E-T3.pdf | |
1N6625 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | 1N6625.pdf | ||
![]() | AC2010FK-0747RL | RES SMD 47 OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-0747RL.pdf | |
![]() | RN73C1J113RBTDF | RES SMD 113 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J113RBTDF.pdf | |
![]() | 2455RM-90040881 | MANUAL RESET THERMOSTAT | 2455RM-90040881.pdf |