창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43511E827M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43511,21 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43511 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 820µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 420V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 190m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 4.1A @ 100Hz | |
임피던스 | 200m옴 | |
리드 간격 | 0.886"(22.50mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 3.228"(82.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
표준 포장 | 56 | |
다른 이름 | B43511E 827M B43511E0827M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43511E827M | |
관련 링크 | B4351, B43511E827M Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | 601D147F200GT1 | 140µF 200V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 601D147F200GT1.pdf | |
![]() | VJ0402D130GLBAC | 13pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D130GLBAC.pdf | |
![]() | 416F52012ILT | 52MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012ILT.pdf | |
![]() | ASVMB-32.000MHZ-XY-T | 32MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASVMB-32.000MHZ-XY-T.pdf | |
![]() | IDW30E60FKSA1 | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 | IDW30E60FKSA1.pdf | |
![]() | BSS123NH6433XTMA1 | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | BSS123NH6433XTMA1.pdf | |
![]() | HWB015S-05-M | AC/DC CONVERTER 5V 15W | HWB015S-05-M.pdf | |
![]() | JTV1S-PA-9V | JTV RELAY 1 FORM C 9V | JTV1S-PA-9V.pdf | |
![]() | ACC343UMM30Z2 | RELAY CONTACTOR 30A 4P | ACC343UMM30Z2.pdf | |
![]() | CRCW121031K6FKEAHP | RES SMD 31.6K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121031K6FKEAHP.pdf | |
![]() | RT1206CRD07698KL | RES SMD 698K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD07698KL.pdf | |
![]() | CRCW1206267KFKEB | RES SMD 267K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206267KFKEB.pdf |