창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564A4109M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43564,84 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 10000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 350V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 20m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 23A @ 100Hz | |
임피던스 | 16m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 8.728"(221.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 24 | |
다른 이름 | B43564A4109M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43564A4109M | |
관련 링크 | B43564, B43564A4109M Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
E81D161VNN222MA50T | CAP ALUM 2200UF 160V RADIAL | E81D161VNN222MA50T.pdf | ||
MKP383227200JFP2B0 | 2700pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP383227200JFP2B0.pdf | ||
SIT9121AI-2D2-25E50.000000T | OSC XO 2.5V 50MHZ | SIT9121AI-2D2-25E50.000000T.pdf | ||
SIT9120AC-1D2-25E156.250000T | OSC XO 2.5V 156.25MHZ OE | SIT9120AC-1D2-25E156.250000T.pdf | ||
SIT3808AI-DF-33EG-61.440000T | OSC XO 3.3V 61.44MHZ OE | SIT3808AI-DF-33EG-61.440000T.pdf | ||
2SK4151TZ-E | MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 | 2SK4151TZ-E.pdf | ||
B82477G4153M | 15µH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 27 mOhm Max Nonstandard | B82477G4153M.pdf | ||
AT0402CRD071KL | RES SMD 1K OHM 0.25% 1/16W 0402 | AT0402CRD071KL.pdf | ||
CRCW08051R54FNEB | RES SMD 1.54 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051R54FNEB.pdf | ||
DHR 1000 C10 | Current Sensor 1000A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | DHR 1000 C10.pdf | ||
CY-192VB-P-Z-Y | SENSOR PHOTO PNP 4M 12-24V | CY-192VB-P-Z-Y.pdf | ||
MS46LR-20-260-Q1-03X-03R-NC-FN | SYSTEM | MS46LR-20-260-Q1-03X-03R-NC-FN.pdf |