창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564J5478M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43564, 84 | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 4700µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 38m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | - | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 17A @ 100Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.583" Dia(91.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 5.787"(147.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 18 | |
다른 이름 | B43564J5478M 3 B43564J5478M003 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43564J5478M3 | |
관련 링크 | B43564, B43564J5478M3 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
VJ0402A680JNAAJ00 | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | VJ0402A680JNAAJ00.pdf | ||
QYS1H333KTP | 0.033µF Film Capacitor 50V Polyester Radial 0.197" L x 0.295" W (5.00mm x 7.50mm) | QYS1H333KTP.pdf | ||
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GHN11033 | 0.8 ~ 11pF Trimmer Capacitor 750V Side Adjustment Surface Mount 0.312" Dia x 0.673" L (7.92mm x 17.10mm) | GHN11033.pdf | ||
SIT8209AI-G2-33E-156.250000Y | OSC XO 3.3V 156.25MHZ OE | SIT8209AI-G2-33E-156.250000Y.pdf | ||
FXO-HC736R-28.636 | 28.636MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC736R-28.636.pdf | ||
PA2050.163NL | 16µH Unshielded Wirewound Inductor 9.9A 9.1 mOhm Nonstandard | PA2050.163NL.pdf | ||
NRS6045T1R3NMGKV | 1.3µH Shielded Wirewound Inductor 4.2A 20.8 mOhm Max Nonstandard | NRS6045T1R3NMGKV.pdf | ||
2510-54G | 18µH Unshielded Inductor 106mA 4.2 Ohm Max 2-SMD | 2510-54G.pdf | ||
PHP00805E1802BST1 | RES SMD 18K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1802BST1.pdf | ||
RCP1206B1K10JEB | RES SMD 1.1K OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B1K10JEB.pdf | ||
RSF1FBR750 | RES MO 1W 0.75 OHM 1% AXIAL | RSF1FBR750.pdf |