창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43601D5227M87 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B43601 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43601 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 220µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 490m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.44A @ 100Hz | |
임피던스 | 700m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.071"(27.20mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 120 | |
다른 이름 | B43601D5227M087 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B43601D5227M87 | |
관련 링크 | B43601D, B43601D5227M87 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
![]() | C0805C820J5GALTU | 82pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C820J5GALTU.pdf | |
![]() | VJ0805D390GLBAJ | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D390GLBAJ.pdf | |
![]() | HCZ682KBCEH0KR | 6800pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.984" Dia(25.00mm) | HCZ682KBCEH0KR.pdf | |
![]() | SD05-01FTG | TVS DIODE 5VWM 16.8VC SOD323 | SD05-01FTG.pdf | |
![]() | MGV1004R19M-10 | 190nH Shielded Wirewound Inductor 40A 1 mOhm Max Nonstandard | MGV1004R19M-10.pdf | |
![]() | ISC1210BNR12M | 120nH Shielded Wirewound Inductor 630mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BNR12M.pdf | |
![]() | WSLP0805R0420FEB | RES SMD 0.042 OHM 1% 1/2W 0805 | WSLP0805R0420FEB.pdf | |
![]() | PE2512FKE7W0R082L | RES SMD 0.082 OHM 1% 2W 2512 | PE2512FKE7W0R082L.pdf | |
![]() | MBB02070C6981DC100 | RES 6.98K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C6981DC100.pdf | |
![]() | CMF5035K700FKEA | RES 35.7K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5035K700FKEA.pdf | |
![]() | CMF5527K100BERE70 | RES 27.1K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5527K100BERE70.pdf | |
![]() | 27J330 | RES 330 OHM 7W 5% AXIAL | 27J330.pdf |