EPCOS (TDK) B43642A5687M000
- 제조업체 부품 번호
- B43642A5687M000
- 제조업 자
- EPCOS (TDK)
- 제품 카테고리
- 알루미늄 커패시터
- 간단한 설명
- 680µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 120 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
B43642A5687M000 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 11,143.20833
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of B43642A5687M000, we specialize in all series EPCOS (TDK) electronic components. B43642A5687M000 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B43642A5687M000, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- B43642A5687M000 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
B43642A5687M000 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-B43642A5687M000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | B43642 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43642 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 680µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 450V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 120m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 3.03A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 180m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 2.047"(52.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 120 | |
| 다른 이름 | B43642A5687M | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | B43642A5687M000 | |
| 관련 링크 | B43642A, B43642A5687M000 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor | |
B43642A5687M000 의 관련 제품
 | 1812GC222MAT1A | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC222MAT1A.pdf | |
 | 0255.250NRT1 | FUSE BOARD MNT 250MA 125VAC/VDC | 0255.250NRT1.pdf | |
 | V420LA20AP | VARISTOR 680V 4.5KA DISC 14MM | V420LA20AP.pdf | |
| SIT8208AI-32-18E-25.000000Y | OSC XO 1.8V 25MHZ OE | SIT8208AI-32-18E-25.000000Y.pdf | |
| A2T18S162W31GSR3 | IC TRANS RF LDMOS | A2T18S162W31GSR3.pdf | |
 | FDPF44N25T | MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F | FDPF44N25T.pdf | |
 | IXFH14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | IXFH14N80P.pdf | |
.jpg) | LQG18HN1N2S00D | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQG18HN1N2S00D.pdf | |
 | CRCW0402619RFKED | RES SMD 619 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402619RFKED.pdf | |
 | ERJ-S08F9103V | RES SMD 910K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F9103V.pdf | |
| CRGV2010F9M09 | RES SMD 9.09M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F9M09.pdf | |
 | Y00621R00000F0L | RES 1 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y00621R00000F0L.pdf |
