창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B59960C120A51 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | B599x0 Taping and Packing Numbering | |
제품 교육 모듈 | Circuit Protection Offering | |
주요제품 | TDK EPCOS Circuit Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | PTC 리셋가능 퓨즈 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
전압 - 최대 | 63V | |
전류 - 최대 | 4.3A | |
전류 - 홀드(Ih)(최대) | 250mA | |
전류 - 트립(It) | 500mA | |
R 최소/최대 | 3.700 ~ 5.600옴 | |
트립까지 걸리는 시간 | - | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | B59960C 120A 51 B59960C0120A051 B59960C0120A051-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | B59960C120A51 | |
관련 링크 | B59960, B59960C120A51 Datasheet, EPCOS (TDK) Distributor |
EEU-FR1J820B | 82µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | EEU-FR1J820B.pdf | ||
C0603C0G1E3R6B030BG | 3.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E3R6B030BG.pdf | ||
ST150-60T2KI | 150µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 60V Axial 1.1 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) | ST150-60T2KI.pdf | ||
416F38422IAR | 38.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422IAR.pdf | ||
LQW15AN3N9B00D | 3.9nH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 70 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN3N9B00D.pdf | ||
B82422A3270J108 | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 140 mOhm Max 2-SMD | B82422A3270J108.pdf | ||
1025-94J | 100nH Unshielded Molded Inductor 1.38A 80 mOhm Max Axial | 1025-94J.pdf | ||
5022-221J | 220nH Unshielded Inductor 2.58A 55 mOhm Max Nonstandard | 5022-221J.pdf | ||
3090-392K | 3.9µH Unshielded Inductor 180mA 2.3 Ohm Max Nonstandard | 3090-392K.pdf | ||
RT0603WRD0724R3L | RES SMD 24.3OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD0724R3L.pdf | ||
RT1206WRD07210RL | RES SMD 210 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD07210RL.pdf | ||
TNPU12062K21BZEN00 | RES SMD 2.21K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU12062K21BZEN00.pdf |