창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAP50-03,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BAP50-03 | |
제품 교육 모듈 | RF Small Signal Products Part 1 RF Small Signal Products Part 2 | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 조립/원산지 | PIN diode transfer 22/Jul/2013 Wafer Manufacturing Transfer 24/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 Carrier Tape Chg 26/Jul/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1505 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 50V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.35pF @ 5V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 500mW | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-1916-2 934055520115 BAP50-03 T/R | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BAP50-03,115 | |
관련 링크 | BAP50-, BAP50-03,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | UPW1E220MDD | 22µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPW1E220MDD.pdf | |
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![]() | 425F22A016M3840 | 16.384MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F22A016M3840.pdf | |
![]() | GBPC2506-G | RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBPC | GBPC2506-G.pdf | |
![]() | IMC1812BNR33K | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BNR33K.pdf | |
![]() | RT0603CRE073R24L | RES SMD 3.24OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE073R24L.pdf | |
![]() | TNPW0603866RBEEN | RES SMD 866 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603866RBEEN.pdf | |
![]() | RCP2512W1K10GS6 | RES SMD 1.1K OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W1K10GS6.pdf | |
![]() | P51-100-G-U-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-G-U-P-4.5OVP-000-000.pdf |