창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAP55LX,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BAP55LX | |
PCN 조립/원산지 | PIN diode transfer 22/Jul/2013 Wafer Manufacturing Transfer 24/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 Leadframe Material Update 20/Mar/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 50V | |
전류 - 최대 | 100mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.28pF @ 20V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 800m옴 @ 100mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 135mW | |
패키지/케이스 | SOD-882D | |
공급 장치 패키지 | SOD882D | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-8536-2 934061239315 BAP55LX T/R BAP55LX T/R-ND BAP55LX,315-ND BAP55LX315 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BAP55LX,315 | |
관련 링크 | BAP55, BAP55LX,315 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
AP061A221JQT2A | 220pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | AP061A221JQT2A.pdf | ||
VJ1812A122KBAAT4X | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A122KBAAT4X.pdf | ||
D330J20C0GF6TJ5R | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D330J20C0GF6TJ5R.pdf | ||
EZJ-PZV120GA | VARISTOR 12V 5A 0201 | EZJ-PZV120GA.pdf | ||
VLZ27-GS18 | DIODE ZENER 27V 500MW SOD80 | VLZ27-GS18.pdf | ||
MCF06052E900-T | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 90 Ohm @ 100MHz 50mA DCR 3.9 Ohm | MCF06052E900-T.pdf | ||
ERA-14EB822U | RES SMD 8.2K OHM 0.1% 1/4W 1210 | ERA-14EB822U.pdf | ||
AA1206JR-077M5L | RES SMD 7.5M OHM 5% 1/4W 1206 | AA1206JR-077M5L.pdf | ||
RT2010DKE07750KL | RES SMD 750K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE07750KL.pdf | ||
RG1005N-1131-W-T1 | RES SMD 1.13K OHM 1/16W 0402 | RG1005N-1131-W-T1.pdf | ||
MBA02040C1074FC100 | RES 1.07M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1074FC100.pdf | ||
291V1022F832AB | ENCODER OPT ROTARY 8PPR W/SW | 291V1022F832AB.pdf |