창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAR 66 E6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 1 쌍의 직렬연결자 | |
전압 - 피크 역(최대) | 150V | |
전류 - 최대 | 200mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.6pF @ 35V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1.8옴 @ 5mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 250mW | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BAR 66 E6327-ND BAR66E6327 BAR66E6327BTSA1 BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327INTR BAR66E6327XT SP000010187 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BAR 66 E6327 | |
관련 링크 | BAR 66, BAR 66 E6327 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | CBR04C609D1GAC | 6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C609D1GAC.pdf | |
![]() | 0402ZJ1R8BBWTR | 1.8pF Thin Film Capacitor 10V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 0402ZJ1R8BBWTR.pdf | |
![]() | DR125-R47-R | 470nH Shielded Wirewound Inductor 17.6A 1.8 mOhm Nonstandard | DR125-R47-R.pdf | |
![]() | 0630CDMCDDS-2R0MC | 2µH Shielded Molded Inductor Nonstandard | 0630CDMCDDS-2R0MC.pdf | |
![]() | 4426-10RC | 43nH Unshielded Wirewound Inductor 3A Nonstandard | 4426-10RC.pdf | |
![]() | 1025-54F | 27µH Unshielded Molded Inductor 140mA 3.5 Ohm Max Axial | 1025-54F.pdf | |
![]() | RG2012P-4993-B-T5 | RES SMD 499K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-4993-B-T5.pdf | |
![]() | 352218KJT | RES SMD 18K OHM 5% 3W 2512 | 352218KJT.pdf | |
![]() | RMCF2512FT2K37 | RES SMD 2.37K OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT2K37.pdf | |
![]() | RG1005N-1652-D-T10 | RES SMD 16.5KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-1652-D-T10.pdf | |
RSMF1JT18R0 | RES MO 1W 18 OHM 5% AXIAL | RSMF1JT18R0.pdf | ||
![]() | 85F2K21 | RES 2.21K OHM 5W 1% AXIAL | 85F2K21.pdf |