창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAR9002ELSE6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BAR90 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 80V | |
전류 - 최대 | 100mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 800m옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 250mW | |
패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSSLP-2-3 | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | SP000870276 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BAR9002ELSE6327XTSA1 | |
관련 링크 | BAR9002ELS, BAR9002ELSE6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | B41505A9158M2 | 1500µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 66 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | B41505A9158M2.pdf | |
![]() | VJ1808A271JBBAT4X | 270pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A271JBBAT4X.pdf | |
![]() | 2220AC273KAT1A | 0.027µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | 2220AC273KAT1A.pdf | |
![]() | 2037-30-B | GDT 300V 15% 5KA THROUGH HOLE | 2037-30-B.pdf | |
![]() | 3KP7.5C | TVS DIODE 7.5VWM 13.55VC AXIAL | 3KP7.5C.pdf | |
![]() | 1PMT4101C/TR7 | DIODE ZENER 8.2V 1W DO216 | 1PMT4101C/TR7.pdf | |
![]() | DTC144TKAT146 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | DTC144TKAT146.pdf | |
![]() | P1812R-563K | 56µH Unshielded Inductor 240mA 2.268 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | P1812R-563K.pdf | |
![]() | S0402-47NJ1C | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 830 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-47NJ1C.pdf | |
![]() | CRCW080527R4FKEA | RES SMD 27.4 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080527R4FKEA.pdf | |
![]() | ATT-0550-10-35M-02 | RF Attenuator 10dB ±0.7dB 0Hz ~ 26.5GHz 2W 3.5mm In-Line Module | ATT-0550-10-35M-02.pdf |