창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAS521,135 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BAS521 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 300V | |
전류 -평균 정류(Io) | 250mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150nA @ 250V | |
정전 용량 @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-11858-2-ND 568-12216-2-ND 934057766135 BAS521,135-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BAS521,135 | |
관련 링크 | BAS52, BAS521,135 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
6R3R18X476MV4E | 47µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.125" L x 0.062" W(3.17mm x 1.57mm) | 6R3R18X476MV4E.pdf | ||
0603ZA560JAT2A | 56pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603ZA560JAT2A.pdf | ||
VJ2220Y224KBPAT4X | 0.22µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y224KBPAT4X.pdf | ||
VJ0805D241FLAAJ | 240pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D241FLAAJ.pdf | ||
BP/FNM-15 | FUSE TRON DUAL ELE.FUSE | BP/FNM-15.pdf | ||
V3.5MLA0805LH | VARISTOR 5.35V 40A 0805 | V3.5MLA0805LH.pdf | ||
SMBZ5925B-E3/5B | DIODE ZENER 10V 3W DO214AA | SMBZ5925B-E3/5B.pdf | ||
MLF1608A1R0KTA00 | 1µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 500 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608A1R0KTA00.pdf | ||
105-221H | 220nH Unshielded Inductor 675mA 210 mOhm Max 2-SMD | 105-221H.pdf | ||
MCR03EZPFX7870 | RES SMD 787 OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX7870.pdf | ||
MCR18EZHJ223 | RES SMD 22K OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ223.pdf | ||
Y11211K06000T9L | RES SMD 1.06K OHM 1/4W 2512 | Y11211K06000T9L.pdf |