Fairchild Semiconductor BC846CMTF
- 제조업체 부품 번호
- BC846CMTF
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BC846CMTF 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 19.06160
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BC846CMTF, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. BC846CMTF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BC846CMTF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BC846CMTF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BC846CMTF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BC846CMTF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BC846-BC850 | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 65V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 310mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 300MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC846CMTF-ND BC846CMTFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BC846CMTF | |
| 관련 링크 | BC84, BC846CMTF Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
BC846CMTF 의 관련 제품
 | E81D500VNN332MQ30T | CAP ALUM 3300UF 50V RADIAL | E81D500VNN332MQ30T.pdf | |
| BFC233613333 | 0.033µF Film Capacitor 275V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC233613333.pdf | |
 | T495C337K004ASE700 | 330µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2312 (6032 Metric) 700 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T495C337K004ASE700.pdf | |
 | 403C35D12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35D12M00000.pdf | |
 | 416F52011CDT | 52MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52011CDT.pdf | |
 | RB521CM-30T2R | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2M | RB521CM-30T2R.pdf | |
 | BYD13MGPHE3/73 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL | BYD13MGPHE3/73.pdf | |
 | ASPI-0418FS-6R8M-T3 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 98 mOhm Nonstandard | ASPI-0418FS-6R8M-T3.pdf | |
| CDC5D20NP-152KC | 1.5mH Unshielded Inductor 70mA 21 Ohm Max Nonstandard | CDC5D20NP-152KC.pdf | |
 | CA00026R200KE66 | RES 6.2 OHM 2W 10% AXIAL | CA00026R200KE66.pdf | |
 | H8130KBYA | RES 130K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8130KBYA.pdf | |
| TLE4941PLUSCBXTMA1 | IC HALL EFFECT SENSOR SSOM-2 | TLE4941PLUSCBXTMA1.pdf |
