창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BCR583E6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BCR583 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
전력 - 최대 | 330mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BCR 583 E6327 BCR 583 E6327-ND BCR 583 E6327TR-ND BCR583E6327 BCR583E6327BTSA1 BCR583E6327XT SP000012278 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BCR583E6327HTSA1 | |
관련 링크 | BCR583E6, BCR583E6327HTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
516D105M450MM6AE3 | 1µF 450V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 516D105M450MM6AE3.pdf | ||
06035A270FAT2A | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A270FAT2A.pdf | ||
C2225C103K2GALTU | 10000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.221" L x 0.252" W(5.60mm x 6.40mm) | C2225C103K2GALTU.pdf | ||
195D226X9016Y2T | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2910 (7227 Metric) 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | 195D226X9016Y2T.pdf | ||
445C35E13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35E13M00000.pdf | ||
SIT1602AC-12-33E-27.000000G | 27MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602AC-12-33E-27.000000G.pdf | ||
SIT8208AI-22-18S-24.000000T | OSC XO 1.8V 24MHZ ST | SIT8208AI-22-18S-24.000000T.pdf | ||
ASTMHTV-106.250MHZ-ZJ-E | 106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-106.250MHZ-ZJ-E.pdf | ||
SL42-E3/9AT | DIODE SCHOTTKY 20V 4A DO214AB | SL42-E3/9AT.pdf | ||
RT0603DRE0712R1L | RES SMD 12.1 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0712R1L.pdf | ||
Y162520K0000T0W | RES SMD 20K OHM 0.01% 0.3W 1206 | Y162520K0000T0W.pdf | ||
BR3JB20L0 | RES CURRENT SENSE .02 OHM 3W 5% | BR3JB20L0.pdf |