창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BGS8M2X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BGS8M2 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 증폭기 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
주파수 | 1.8GHz ~ 2.2GHz | |
P1dB | - | |
이득 | 14.4dB | |
잡음 지수 | 0.85dB | |
RF 유형 | - | |
전압 - 공급 | 1.5 V ~ 3.1 V | |
전류 - 공급 | 5.8mA | |
테스트 주파수 | 2.2GHz | |
패키지/케이스 | 6-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 6-XSON, SOT1232(1.1x0.7) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 934069193115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BGS8M2X | |
관련 링크 | BGS, BGS8M2X Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
![]() | VJ0603D2R1DXCAC | 2.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R1DXCAC.pdf | |
![]() | VJ0805D201MLBAT | 200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D201MLBAT.pdf | |
![]() | VJ1812A330JBBAT4X | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A330JBBAT4X.pdf | |
![]() | RLB0914-100KL | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.7A 48 mOhm Max Radial | RLB0914-100KL.pdf | |
![]() | 2256R-50K | 12mH Unshielded Molded Inductor 65mA 93 Ohm Max Axial | 2256R-50K.pdf | |
![]() | 8532R-21K | 47µH Unshielded Inductor 1.84A 104 mOhm Max 2-SMD | 8532R-21K.pdf | |
![]() | ERA-8APB8062V | RES SMD 80.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB8062V.pdf | |
![]() | AF0201FR-0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 1% 1/20W 0201 | AF0201FR-0722R1L.pdf | |
![]() | CRCW2512130RJNEGHP | RES SMD 130 OHM 5% 1.5W 2512 | CRCW2512130RJNEGHP.pdf | |
![]() | MBB02070C1784FRP00 | RES 1.78M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1784FRP00.pdf | |
![]() | 62S11-N5-100C | OPTICAL ENCODER | 62S11-N5-100C.pdf | |
![]() | B57471V2333J62 | NTC Thermistor 33k 0805 (2012 Metric) | B57471V2333J62.pdf |