창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BGSF110GN26E6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BGSF110GN26 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 스위치 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
주파수 - 하부 | 100MHz | |
주파수 - 상부 | 3.8GHz | |
절연 @ 주파수 | 40dB @ 3GHz(일반) | |
삽입 손실 @ 주파수 | 1.3dB @ 3GHz | |
IIP3 | - | |
토폴로지 | - | |
회로 | SP10T | |
P1dB | - | |
특징 | - | |
임피던스 | 50옴 | |
작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
전압 - 공급 | 2.4 V ~ 3.3 V | |
RF 유형 | GSM, LTE, W-CDMA | |
패키지/케이스 | 26-WFQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | PG-TSNP-26-2 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | BGSF110GN26E6327XTSA1-ND BGSF110GN26E6327XTSA1TR SP001006660 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BGSF110GN26E6327XTSA1 | |
관련 링크 | BGSF110GN2, BGSF110GN26E6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0603D150GLCAC | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D150GLCAC.pdf | |
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![]() | MD2103DFP | TRANS NPN 700V 6A TO-220FP | MD2103DFP.pdf | |
DD1217AS-H-6R8N=P3 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 27.6 mOhm Max Nonstandard | DD1217AS-H-6R8N=P3.pdf | ||
![]() | 74408942100 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.38A 148 mOhm Max 1919 (4848 Metric) | 74408942100.pdf | |
![]() | MCR10ERTF7873 | RES SMD 787K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF7873.pdf | |
![]() | AT1206BRD0716R2L | RES SMD 16.2 OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0716R2L.pdf | |
![]() | TNPW1206143RBEEA | RES SMD 143 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206143RBEEA.pdf | |
![]() | RT1206WRD0764R9L | RES SMD 64.9 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD0764R9L.pdf | |
![]() | MBB02070C3488FRP00 | RES 3.48 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3488FRP00.pdf | |
![]() | CPR202R700KE10 | RES 2.7 OHM 20W 10% RADIAL | CPR202R700KE10.pdf |