Ampleon USA Inc. BLF6G10-45,135
- 제조업체 부품 번호
- BLF6G10-45,135
- 제조업 자
- Ampleon USA Inc.
- 제품 카테고리
- RF FET
- 간단한 설명
- FET RF 65V 957.5MHZ SOT608A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BLF6G10-45,135 가격 및 조달
가능 수량
1450 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 52,520.47253
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BLF6G10-45,135, we specialize in all series Ampleon USA Inc. electronic components. BLF6G10-45,135 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLF6G10-45,135, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BLF6G10-45,135 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BLF6G10-45,135 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BLF6G10-45,135 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BLF6G10-45 | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 24/Jun/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 922.5MHz ~ 957.5MHz | |
| 이득 | 22.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 13A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 350mA | |
| 전력 - 출력 | 1W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-608A | |
| 공급 장치 패키지 | CDFM2 | |
| 표준 포장 | 300 | |
| 다른 이름 | 568-12772-2 934060888135 BLF6G10-45 /T3 BLF6G10-45 /T3-ND BLF6G10-45,135-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BLF6G10-45,135 | |
| 관련 링크 | BLF6G10, BLF6G10-45,135 Datasheet, Ampleon USA Inc. Distributor | |
BLF6G10-45,135 의 관련 제품
 | VJ1206Y151MXLAT5Z | 150pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y151MXLAT5Z.pdf | |
 | LDECD3270JA5N00 | 0.27µF Film Capacitor 40V 50V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2220 (5750 Metric) 0.236" L x 0.197" W (6.00mm x 5.00mm) | LDECD3270JA5N00.pdf | |
 | F339MX261031MPI2T0 | 10µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.728" W (43.00mm x 18.50mm) | F339MX261031MPI2T0.pdf | |
 | 402F36033CLT | 36MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36033CLT.pdf | |
 | SIT1602AIR3-18S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby | SIT1602AIR3-18S.pdf | |
 | VS-6FR120 | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO203AA | VS-6FR120.pdf | |
 | PE-0805CD150JTT | 14.9nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 170 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CD150JTT.pdf | |
 | CRCW20101R10FNEF | RES SMD 1.1 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20101R10FNEF.pdf | |
.jpg) | RT1206BRE0744K2L | RES SMD 44.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0744K2L.pdf | |
.jpg) | PHP00603E1062BBT1 | RES SMD 10.6K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1062BBT1.pdf | |
| H4P536RDZA | RES 536 OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P536RDZA.pdf | |
 | MTQD5.8PV1-5 | Photodiode 940nm 20ns | MTQD5.8PV1-5.pdf |
