창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF6G10LS-200RN:11 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BLF6G10(LS)-200RN | |
PCN 설계/사양 | Skip Gain Binning 06/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 871.5MHz ~ 891.5MHz | |
이득 | 20dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 49A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.4A | |
전력 - 출력 | 40W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-502B | |
공급 장치 패키지 | SOT502B | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-8638 934063255112 BLF6G10LS-200RN:11-ND BLF6G10LS200RN11 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BLF6G10LS-200RN:11 | |
관련 링크 | BLF6G10LS, BLF6G10LS-200RN:11 Datasheet, Ampleon USA Inc. Distributor |
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![]() | BYG22AHE3/TR3 | DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC | BYG22AHE3/TR3.pdf | |
![]() | MHQ0402P1N1BT000 | 1.1nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P1N1BT000.pdf | |
![]() | RC2010FK-071R82L | RES SMD 1.82 OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-071R82L.pdf | |
![]() | RT1210CRE0737R4L | RES SMD 37.4 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0737R4L.pdf | |
![]() | RG3216N-3903-W-T1 | RES SMD 390K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-3903-W-T1.pdf | |
![]() | CMF5566K500FKR670 | RES 66.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5566K500FKR670.pdf | |
![]() | OPB991P11 | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS | OPB991P11.pdf |