창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BM63364S-VA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BM63364S-(VA, VC) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 전력 구동기 - 모듈 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | IGBT | |
구성 | 3 위상 인버터 | |
전류 | 15A | |
전압 | 600V | |
전압 - 분리 | 1500Vrms | |
패키지/케이스 | 25-DIP 모듈 | |
표준 포장 | 60 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BM63364S-VA | |
관련 링크 | BM633, BM63364S-VA Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
![]() | 12063A152FAT2A | 1500pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063A152FAT2A.pdf | |
![]() | AMK107BJ225KV-T | 2.2µF 4V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | AMK107BJ225KV-T.pdf | |
![]() | NOJY227M004RWJ | 220µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2917 (7343 Metric) 400 mOhm ESR | NOJY227M004RWJ.pdf | |
![]() | TA-1.544MDD-T | 1.544MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-1.544MDD-T.pdf | |
![]() | ILBB0603ER181V | 180 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount 150mA 1 Lines 300 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | ILBB0603ER181V.pdf | |
![]() | S1812-274K | 270µH Shielded Inductor 135mA 11 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-274K.pdf | |
![]() | 3090-562G | 5.6µH Unshielded Inductor 145mA 3.5 Ohm Max 2-SMD | 3090-562G.pdf | |
![]() | YC164-JR-0722RL | RES ARRAY 4 RES 22 OHM 1206 | YC164-JR-0722RL.pdf | |
![]() | UB5C-25RF8 | RES 25 OHM 5W 1% AXIAL | UB5C-25RF8.pdf | |
![]() | CMF50887K00FKEB | RES 887K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50887K00FKEB.pdf | |
![]() | Y000760R0000Q9L | RES 60 OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y000760R0000Q9L.pdf | |
![]() | DRV5023AJQDBZT | IC HALL SENSOR 3SOT23 | DRV5023AJQDBZT.pdf |