Diodes Incorporated BS870-7-F

BS870-7-F
제조업체 부품 번호
BS870-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Datesheet 다운로드
다운로드
BS870-7-F 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 40.15440
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of BS870-7-F, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. BS870-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS870-7-F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
BS870-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BS870-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BS870-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BS870
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 3/May/2011
PCN 조립/원산지Plating Site Addition 29/Jul/2015
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1572 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C250mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5옴 @ 200mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 10V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
다른 이름BS870-FDITR
BS8707F
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)BS870-7-F
관련 링크BS87, BS870-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
BS870-7-F 의 관련 제품
2700pF 100V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) D272Z20Y5VH6TJ5R.pdf
75pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D750FLXAJ.pdf
TVS DIODE 110VWM 177VC SMAJ SMAJ110CAE3/TR13.pdf
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SO SMDA03E3.pdf
8MHz ±30ppm 수정 16pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US GC0800044.pdf
48MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) FA-238 48.0000MB-C0.pdf
20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTD-20.000MHZ-ZC-E-T.pdf
DIODE ZENER 2V 300MW SOD523 BZT52C2V0T-7.pdf
3.3µH Shielded Wirewound Inductor 10A 11.8 mOhm Max Nonstandard MGV10043R3M-10.pdf
RES MO 1W 0.806 OHM 1% AXIAL RSF1FTR806.pdf
RES 165K OHM 1/4W 1% AXIAL CMF50165K00FKR6.pdf
PHOTODARLINGTON SILICON NPN TO18 OP830SL.pdf