창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSB012NE2LXIXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSB012NE2LXI | |
PCN 설계/사양 | BSB012NE2LXI DataSheet Update 18/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5852pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 57W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDSON | |
공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001034232 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSB012NE2LXIXUMA1 | |
관련 링크 | BSB012NE, BSB012NE2LXIXUMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | GRT31CR61E106KE01L | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRT31CR61E106KE01L.pdf | |
![]() | CL05C220JB5NGNC | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C220JB5NGNC.pdf | |
![]() | VJ1825A390KBBAT4X | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A390KBBAT4X.pdf | |
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![]() | B82725S2802N21 | RING CORE DBL CHOKE 3.1MH 8A | B82725S2802N21.pdf | |
![]() | ELJ-RF3N9DFB | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 360mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-RF3N9DFB.pdf | |
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![]() | RG2012V-1070-P-T1 | RES SMD 107 OHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-1070-P-T1.pdf | |
![]() | CMF7018K200FHR6 | RES 18.2K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF7018K200FHR6.pdf | |
![]() | Y070610K4000F9L | RES 10.4K OHM .4W 1% RADIAL | Y070610K4000F9L.pdf | |
![]() | E3T-SR24 2M | SENSOR RETROREFL 2M DK ON PNP | E3T-SR24 2M.pdf |