Infineon Technologies BSB015N04NX3 G
- 제조업체 부품 번호
- BSB015N04NX3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSB015N04NX3 G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,477.28656
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSB015N04NX3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSB015N04NX3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB015N04NX3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSB015N04NX3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSB015N04NX3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSB015N04NX3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSB015N04NX3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 12/May/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Ta), 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 142nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12000pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 89W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-WDSON | |
| 공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSB015N04NX3 G-ND BSB015N04NX3GXUMA1 SP000597852 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSB015N04NX3 G | |
| 관련 링크 | BSB015N, BSB015N04NX3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSB015N04NX3 G 의 관련 제품
 | E36D750LPN173UDA5N | 17000µF 75V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D750LPN173UDA5N.pdf | |
-TDK.jpg) | CGJ4J2X7R0J105K125AA | 1µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGJ4J2X7R0J105K125AA.pdf | |
 | A223K15X7RK5UAA | 0.022µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A223K15X7RK5UAA.pdf | |
| BN154G0155K-- | 1.5µF Film Capacitor 115V 250V Polyester, Metallized Radial 0.697" L x 0.343" W (17.70mm x 8.70mm) | BN154G0155K--.pdf | |
 | 170M4563 | FUSE SQUARE 450A 700VAC | 170M4563.pdf | |
 | FXO-PC736R-200 | 200MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FXO-PC736R-200.pdf | |
| SIT9120AI-2D3-33E150.000000T | OSC XO 3.3V 150MHZ | SIT9120AI-2D3-33E150.000000T.pdf | |
 | DSC8121AI5T | 10MHz ~ 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC8121AI5T.pdf | |
 | LPA0618-102KL | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 3 Ohm Max Axial | LPA0618-102KL.pdf | |
| RCH1216BNP-270M | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 3.8A 41 mOhm Max Radial | RCH1216BNP-270M.pdf | |
 | RMCF1206JT22M0 | RES SMD 22M OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT22M0.pdf | |
.jpg) | RT0805WRC07127KL | RES SMD 127K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC07127KL.pdf |
