Infineon Technologies BSB044N08NN3 G
- 제조업체 부품 번호
- BSB044N08NN3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSB044N08NN3 G 가격 및 조달
가능 수량
16150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,400.19010
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSB044N08NN3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSB044N08NN3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB044N08NN3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSB044N08NN3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSB044N08NN3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSB044N08NN3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSB044N08NN3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 97µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-WDSON | |
| 공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSB044N08NN3 G-ND BSB044N08NN3G BSB044N08NN3GXUMA1 SP000604542 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSB044N08NN3 G | |
| 관련 링크 | BSB044N, BSB044N08NN3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSB044N08NN3 G 의 관련 제품
 | MAL215099403E3 | 1000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 3000 Hrs @ 105°C | MAL215099403E3.pdf | |
| 2D16 | FUSE-D1 2A T GL/GG 500VAC E16 | 2D16.pdf | |
 | NTD14N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK | NTD14N03RT4G.pdf | |
 | FDMS8558SDC | MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN | FDMS8558SDC.pdf | |
 | HM78D-755101MLFTR | Shielded 2 Coil Inductor Array 406.4µH Inductance - Connected in Series 100µH Inductance - Connected in Parallel 383 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 860mA Nonstandard | HM78D-755101MLFTR.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ1005P23NJTD25 | 23nH Unshielded Multilayer Inductor 230mA 1.1 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P23NJTD25.pdf | |
| 4554-151K | 150µH Unshielded Inductor 750mA 450 mOhm Max Radial | 4554-151K.pdf | |
.jpg) | RT0805CRE0733K2L | RES SMD 33.2KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0733K2L.pdf | |
.jpg) | RT0402BRE07392RL | RES SMD 392 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE07392RL.pdf | |
 | RCWL0603R160JQEA | RES SMD 0.16 OHM 5% 1/10W 0603 | RCWL0603R160JQEA.pdf | |
 | Y14880R20000B9W | RES SMD 0.2 OHM 0.1% 2W 3637 | Y14880R20000B9W.pdf | |
 | CW02B2K200JE70 | RES 2.2K OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B2K200JE70.pdf |
