창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSB056N10NN3GXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSB056N10NN3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 83A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5500pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDSON | |
공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSB056N10NN3 G BSB056N10NN3 G-ND BSB056N10NN3 GTR-ND BSB056N10NN3G BSB056N10NN3GXUMA1TR SP000604540 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSB056N10NN3GXUMA1 | |
관련 링크 | BSB056N10, BSB056N10NN3GXUMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | F930G157KBA | 150µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1411 (3528 Metric) 700 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | F930G157KBA.pdf | |
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![]() | BZX84C30 | DIODE ZENER 30V 350MW SOT23-3 | BZX84C30.pdf | |
![]() | 3386M-1-102LF | 1k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3386M-1-102LF.pdf | |
![]() | 28472C | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 8.3A 10 mOhm Max Nonstandard | 28472C.pdf | |
![]() | TC124-FR-0782RL | RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804 | TC124-FR-0782RL.pdf | |
![]() | MBA02040C1503FC100 | RES 150K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1503FC100.pdf | |
![]() | CPL07R0200JB31 | RES 0.02 OHM 7W 5% AXIAL | CPL07R0200JB31.pdf | |
![]() | 61B15-01-02-020 | OPTICAL ENCODER | 61B15-01-02-020.pdf |