Infineon Technologies BSC014N03MS G
- 제조업체 부품 번호
- BSC014N03MS G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC014N03MS G 가격 및 조달
가능 수량
6150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 615.28896
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC014N03MS G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC014N03MS G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC014N03MS G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC014N03MS G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC014N03MS G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC014N03MS G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC014N03MS G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 139W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC014N03MS G-ND BSC014N03MSG BSC014N03MSGATMA1 SP000394681 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC014N03MS G | |
| 관련 링크 | BSC014, BSC014N03MS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC014N03MS G 의 관련 제품
 | UWX1E470MCR1GB | 47µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | UWX1E470MCR1GB.pdf | |
 | 561R1DF0T10 | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 N2000 방사형, 디스크 0.252" Dia(6.40mm) | 561R1DF0T10.pdf | |
 | GRM1886R1H4R5CZ01D | 4.5pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886R1H4R5CZ01D.pdf | |
 | SMR5473J100J02L16.5CBULK | 0.047µF Film Capacitor 63V 100V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | SMR5473J100J02L16.5CBULK.pdf | |
 | MP245B | 24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 25옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | MP245B.pdf | |
 | 416F38033CDR | 38MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38033CDR.pdf | |
 | SS11VL-R06270 | 27mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 600mA DCR 1.3 Ohm | SS11VL-R06270.pdf | |
 | RG1005P-3091-B-T5 | RES SMD 3.09KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-3091-B-T5.pdf | |
 | CFR-50JR-52-220K | RES 220K OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR-50JR-52-220K.pdf | |
| EXS150TN | 156MHz Whip, Straight RF Antenna 150MHz ~ 162MHz Connector, TN Connector Mount | EXS150TN.pdf | |
| 62S15-L5-120CH | OPTICAL ENCODER | 62S15-L5-120CH.pdf | |
 | 1865-05G-KDN | Pressure Sensor 25 PSI (172.37 kPa) Vented Gauge 0 V ~ 7.5 V 8-DIP Module | 1865-05G-KDN.pdf |
