창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC016N04LS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC016N04LS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 85µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12000pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 139W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC016N04LS G-ND BSC016N04LS GTR BSC016N04LSG BSC016N04LSGATMA1 SP000394801 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC016N04LS G | |
관련 링크 | BSC016, BSC016N04LS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
TVX2A101MCD | 100µF 100V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | TVX2A101MCD.pdf | ||
C0603C0G1E040C030BA | 4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E040C030BA.pdf | ||
C0402C221J3RACTU | 220pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C221J3RACTU.pdf | ||
VJ1812A180JBRAT4X | 18pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A180JBRAT4X.pdf | ||
04023J0R3PBSTR\500 | 0.30pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J0R3PBSTR\500.pdf | ||
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SI4133GX2M-EVB | BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI | SI4133GX2M-EVB.pdf | ||
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P51-100-S-AD-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-AD-P-4.5V-000-000.pdf |