Infineon Technologies BSC018NE2LSI
- 제조업체 부품 번호
- BSC018NE2LSI
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC018NE2LSI 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 474.43968
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC018NE2LSI, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC018NE2LSI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC018NE2LSI, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC018NE2LSI 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC018NE2LSI 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC018NE2LSI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC018NE2LSI | |
| PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC018NE2LSI-ND BSC018NE2LSIATMA1 SP000906030 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC018NE2LSI | |
| 관련 링크 | BSC018, BSC018NE2LSI Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC018NE2LSI 의 관련 제품
 | 381LX152M100A012 | 1500µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX152M100A012.pdf | |
 | 12065C102KAT4A | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065C102KAT4A.pdf | |
 | MKP1848510454K2 | 1µF Film Capacitor 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.260" L x 0.354" W (32.00mm x 9.00mm) | MKP1848510454K2.pdf | |
 | SMPC36A-M3/86A | TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMPC | SMPC36A-M3/86A.pdf | |
 | MC-146 32.7680KA-AG0: PURE SN | 32.768kHz ±20ppm 수정 7pF 65k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | MC-146 32.7680KA-AG0: PURE SN.pdf | |
 | 7C24020001 | 24MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable | 7C24020001.pdf | |
| SD3114-1R0-R | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 58 mOhm Nonstandard | SD3114-1R0-R.pdf | |
 | HS50 8R F | RES CHAS MNT 8 OHM 1% 50W | HS50 8R F.pdf | |
 | ERJ-XGNJ683Y | RES SMD 68K OHM 5% 1/32W 01005 | ERJ-XGNJ683Y.pdf | |
 | CMF55167K00BEEB | RES 167K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55167K00BEEB.pdf | |
| P51-15-S-P-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Sealed Gauge Male - M20 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-15-S-P-D-20MA-000-000.pdf | |
| E2A-M18LS08-WP-B2 2M | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M18 | E2A-M18LS08-WP-B2 2M.pdf |
