Infineon Technologies BSC026N02KS G
- 제조업체 부품 번호
- BSC026N02KS G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC026N02KS G 가격 및 조달
가능 수량
16150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 614.69592
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC026N02KS G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC026N02KS G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC026N02KS G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC026N02KS G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC026N02KS G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC026N02KS G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC026N02KS G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 50A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7800pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KSG BSC026N02KSGAUMA1 SP000379664 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC026N02KS G | |
| 관련 링크 | BSC026, BSC026N02KS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC026N02KS G 의 관련 제품
 | DEBB33F152KN3A | 1500pF 3150V(3.15kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | DEBB33F152KN3A.pdf | |
 | VJ1812A331KBRAT4X | 330pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A331KBRAT4X.pdf | |
 | 170M6094 | FUSE 130AMP 7200V 00/480 AR | 170M6094.pdf | |
 | FXO-HC730-13.333333 | 13.333333MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC730-13.333333.pdf | |
 | KBP02G | RECT BRIDGE GPP 200V 1.5A KBP | KBP02G.pdf | |
| PG0016.273NL | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 970mA 200 mOhm 2420 (6050 Metric) | PG0016.273NL.pdf | |
 | ERJ-P6WF3010V | RES SMD 301 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF3010V.pdf | |
 | RG3216N-8452-D-T5 | RES SMD 84.5K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-8452-D-T5.pdf | |
 | RCP1206B20R0GEC | RES SMD 20 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B20R0GEC.pdf | |
| Y16251K03070T9R | RES SMD 1.0307K OHM 0.3W 1206 | Y16251K03070T9R.pdf | |
 | RNF18FTC2K49 | RES 2.49K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTC2K49.pdf | |
 | CMF6017K400FKR670 | RES 17.4K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6017K400FKR670.pdf |
