창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC027N04LSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC027N04LS G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 49µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC027N04LS G BSC027N04LS G-ND BSC027N04LS GTR BSC027N04LS GTR-ND BSC027N04LSG SP000354810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC027N04LSGATMA1 | |
관련 링크 | BSC027N0, BSC027N04LSGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
22255A222JAT2A | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 22255A222JAT2A.pdf | ||
445C33S20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33S20M00000.pdf | ||
PMEG6010AED,115 | DIODE SCHOTTKY 60V 1A 6TSOP | PMEG6010AED,115.pdf | ||
1N4751CP/TR8 | DIODE ZENER 30V 1W DO204AL | 1N4751CP/TR8.pdf | ||
SDR0503-682JL | 6.8mH Unshielded Wirewound Inductor 34mA 80 Ohm Max Nonstandard | SDR0503-682JL.pdf | ||
RG2012N-1151-W-T1 | RES SMD 1.15KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1151-W-T1.pdf | ||
CRCW060321R5FKEC | RES SMD 21.5 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060321R5FKEC.pdf | ||
4116R-2-304 | RES ARRAY 15 RES 300K OHM 16DIP | 4116R-2-304.pdf | ||
Y5076V0314QV0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y5076V0314QV0L.pdf | ||
AC04000008209JAC00 | RES 82 OHM 4W 5% AXIAL | AC04000008209JAC00.pdf | ||
HMC647ALP6ETR | RF IC Phase Shifter Radar 2.5GHz ~ 3.1GHz 28-QFN (6x6) | HMC647ALP6ETR.pdf | ||
NBPDLNS600MGUNV | Pressure Sensor 8.7 PSI (60 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 45 mV (5V) 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port | NBPDLNS600MGUNV.pdf |