창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC031N06NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC031N06NS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 93µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 139W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC031N06NS3 G BSC031N06NS3 G-ND BSC031N06NS3 GTR BSC031N06NS3 GTR-ND BSC031N06NS3G SP000451482 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC031N06NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC031N06, BSC031N06NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CD214B-T5.0CALF | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA | CD214B-T5.0CALF.pdf | |
![]() | VS-15EWX06FNTRL-M3 | DIODE HYPERFAST 15A 600 DPAK | VS-15EWX06FNTRL-M3.pdf | |
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![]() | CRCW251212R4FKEGHP | RES SMD 12.4 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251212R4FKEGHP.pdf | |
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![]() | CRCW06038R20FNEA | RES SMD 8.2 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06038R20FNEA.pdf | |
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![]() | MTSMC-EV3-GP-N3 | RF TXRX MOD CELLULAR/NAV U.FL | MTSMC-EV3-GP-N3.pdf | |
![]() | P51-50-G-U-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-G-U-P-20MA-000-000.pdf |