창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC039N06NS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC039N06NS | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 36µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSTR SP000985386 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC039N06NS | |
관련 링크 | BSC03, BSC039N06NS Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CBR08C360J5GAC | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C360J5GAC.pdf | |
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![]() | 416F27022ITT | 27MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27022ITT.pdf | |
![]() | ECS-1633-240-BN-TR | 24MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA Enable/Disable | ECS-1633-240-BN-TR.pdf | |
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![]() | Y14870R10000F9W | RES SMD 0.1 OHM 1% 1W 2512 | Y14870R10000F9W.pdf | |
![]() | TNPW2512191KBETG | RES SMD 191K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512191KBETG.pdf | |
![]() | L6565N | Converter Offline Flyback Topology 8-DIP | L6565N.pdf |